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上海科技大学公共超净平台是上海科技大学第一个五年计划重点建设工程之一，是学校开展半导体器件工艺及其交叉学科研究的重要创新平台。本超净室主要为III-V族， III-Nitride, Si， Ge等无机半导体材料和相关新型器件提供研究和制造平台。

公共超净平台的建设目的是为了促进纳米科学技术、半导体技术、光电子技术的基础研究和发展，以及能源、信息、材料、医疗、环境等领域多学科交叉研究。通过3-5年持续的发展和建设，将逐步建立起条件优良，功能齐全，管理规范，先进高效的优质资源公用系统和共享机制，建设成适应于当前以及未来器件工艺研发所需要的基础支撑体系。

公共超净平台属于上科大公共科研平台，委托信息学院筹建并先期管理。根据科研工作需要，现诚聘刻蚀工艺工程师1名。该职位目前向公共超净平台负责人汇报工作。

一、 岗位职责

1. 负责娴熟操作与使用超净室中包含但不限于等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学通风柜等实验设备、仪器及装置以及III-V/氮化物/SiGe等湿法腐蚀工艺;

2. 负责完善与刻蚀工艺(含干法和湿法)流程相关工艺规范，研究工艺参数与条件对实验结果的影响趋势或规律;

3. 负责设计制定刻蚀工艺优化方案、扩大工艺窗口、改善工艺能力;对新进工艺工程师或工艺技术员责任机台培训方案执行。

4. 负责实现并完成学校科研项目、外协项目与刻蚀工艺(含干法和湿法)相关的工艺流程;

5. 负责日常刻蚀工艺问题处理，完成分析报告并及时完成相关文件

6. 负责采购、保管和管理刻蚀工艺相关的必备耗材与工具;

7. 帮助和培训学生以及其他科研工作人员使用刻蚀工艺相关的设备与仪器;

8. 辅助半导体器件制造实验课程的制定和开设;

9. 其它负责人交待的相关工作。

二、招聘条件

1. 具有微电子，光电子，材料或者物理等领域的本科，硕士或博士学历;在该项工艺领域具备优秀研发能力以及丰富良率提升经历者可放宽学历条件;

2. 具有丰富的器件工艺的经历(研究生的在校科研经历也适用);

3. 对半导体器件，光电子器件的工作原理和测试有基本的了解;

4. 具有良好的团队合作精神，善于沟通;

5. 能够阅读相关专业的英语文献及具备英文写作能力;

6. 具有良好的协调沟通能力、管理能力和学习能力、以及团队合作精神。

三、应聘要求及程序

1.请应聘者通过人才招聘系统(http://jobs.shanghaitech.edu.cn/)提交应聘申请，请填写完整应聘材料。不接受现场和邮件应聘。应聘流程为：注册、填写并提交个人基本信息、应聘选择岗位。

2.对应聘者进行资格审查，对初审通过者，将另行通知面试时间。

3.招满即止。

4.如有疑问，请发邮件至sist@shanghaitech.edu.cn。